В ТГУ разработали диоды на оксиде галлия для силовой электроники и радиационно стойких сенсоров
Аспирант радиофизического факультета Томского государственного университета разработал диоды нового поколения на основе оксида галлия.
Разработка ведётся в центре «Перспективные технологии в микроэлектронике» (ПТМ) ТГУ. Лабораторные образцы диодов прошли первые испытания.
«Ростех» запустил серийное производство российского спецклея для производства защищённой электроники
habr.com