В Японии создали SiC-транзистор, способный работать при 600 °C — обычный кремний сдается после 250 °C
gagadget.comИсследователи Университета Киото (Kyoto University) разработали транзистор на основе карбида кремния (SiC), который сохраняет работоспособность при температуре 600 °C.
Причем важен не только температурный рекорд: устройство изготовлено с использованием ионной имплантации — распространенного в полупроводниковой промышленности метода легирования.
