В России создают «умные» элементы памяти
iz.ruУченые Курчатовского института разработали электрические элементы из поли-п-ксилилена, которые в будущем могут прийти на смену бинарным транзисторам, применяемым в современных компьютерах.
Нынешние программные нейросети потребляют огромное количество энергии в силу неприспособленности бинарной технологии к вычислениям, имитирующим естественные процессы нервной системы.