SK Hynix анонсировала память HBM3 с рекордной пропускной способностью — 819 ГБ/с
itc.uaЮжнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix сообщил об успешной разработке микросхем буферной памяти HBM3 с рекордной в отрасли пропускной способностью.
HBM3 — четвертое поколение многослойной памяти HBM (high-bandwidth memory). Ее можно встретить преимущественно в топовых ускорителях вычислений вроде NVIDIA A100 и AMD M100, предназначенных для дата-центров и суперкомпьютеров.
