Samsung создала первый в мире 900-слойный чип памяти V-NAND
ilenta.comО прорыве сообщило издание ETNews. Как утверждается, прототип построен с применением технологии Cell Multi-Bonding (CMB). Она позволяет объединять два 450-слойных кристалла памяти в один чип.Подобный подход дает сразу несколько преимуществ:Именно такие высокоплотные структуры сейчас считаются особенно перспективными для систем искусственного интеллекта, где требуется огромная пропускная способность памяти и высокая энергоэффективность.Сейчас одним из лидеров сегмента NAND-памяти считается SK Hynix, которая уже выпускает 321-слойные чипы NAND.Однако Samsung одновременно готовится к массовому производству NAND-памяти десятого поколения с более чем 400 слоями и параллельно ведет разработку 900-слойных решений на исследовательском этапе.Компания уже имеет серьезный опыт в этой области.
Именно Samsung первой в мире начала коммерческий выпуск 3D V-NAND еще в 2013 году.По мере увеличения количества слоев инженеры столкнулись с серьезными технологическими трудностями.Среди основных проблем:По данным источников, Samsung смогла решить эти проблемы благодаря новой конструкции Upper Chuck и технологии Overlay Correction, отвечающей за более точное выравнивание слоев.Кроме того, компания переработала структуры Bitline (BL) и Wordline (WL), что позволило одновременно уменьшить размеры чипа и сократить энергопотребление.
