Samsung раскрыла первые подробности о памяти HBM5: новые чипы для ИИ окажутся более чем на 50% быстрее
По официальным данным Samsung, новое поколение памяти сможет обеспечить прирост производительности более чем на 50% по сравнению с HBM4E.
Добиться такого результата планируется благодаря применению современного 2-нм техпроцесса и усовершенствованной конструкции микросхем.О новых разработках рассказал руководитель направления технологического развития контрактного производства Samsung Гу Джахум.По его словам, память HBM5 будет обрабатывать данные более чем на 50% быстрее по сравнению с HBM4E.Основные улучшения включают:Именно базовый кристалл служит основой, на которой располагаются несколько слоев DRAM-памяти.
ilenta.com