Альтернатива кремнию: ученые преодолели препятствия в создании полупроводников на оксиде галлия
Японские исследователи из Нагойского университета решили технологические трудности с использованием оксида галлия (Ga₂O₃) в полупроводниках.
Оксид галлия — перспективный материал, способный сделать электронные устройства гораздо более энергоэффективными чем те, что работают на основе кремния.
itc.ua