В МФТИ создали сегнетоэлектрическую память с ресурсом более 100 млн циклов перезаписи
habr.comИсследователи МФТИ сообщили о прорыве в разработке сегнетоэлектрической памяти: экспериментальные образцы выдержали более 100 млн циклов перезаписи — это на порядки выше типичных показателей флеш-памяти.Речь идет о памяти на основе оксида гафния-циркония — материала, способного сохранять состояние без питания и работать в ультратонких пленках толщиной всего несколько нанометров.
Такие структуры потенциально подходят для энергоэффективных вычислений и нейроморфных систем, где важна высокая плотность и скорость доступа к данным.Ключевая проблема подобных решений — токи утечки, которые растут при уменьшении толщины пленки.
