SK Hynix начала массовое производство высокоскоростной памяти HBM2E
Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix объявил о начале массового производства памяти DRAM HBM2E с самой высокой в отрасли пропускной способностью.
Без малого год потребовалось SK Hynix, чтобы развернуть полномасштабное производство — разработка HBM2E была завершена в августе 2019 года.