Samsung в этом квартале запустит массовое производство по техпроцессу 3GAE с использованием транзисторов GAAFET (MBCFET)
itc.uaКомпания Samsung заявила, что она уже в этом квартале готовится к началу крупносерийного производства чипов на базе производственного процесса 3GAE (3 nm-class gate all-around early).
Это будет первая в отрасли производственная технология класса 3 нм, а также первый узел, в котором используются транзисторы GAAFET (gate-all-around field effect transistors). Обращение от редакции: Нашим защитникам из 115-й бригады, которая сейчас воюет на востоке, нужен пикап.