Samsung отложила производство 3- и 2-нм микросхем следующего поколения
bin.uaВ настоящее время 5-нанометровое производство является самой передовой технологией в производстве современных микросхем. Следующим важным шагом должен стать переход на 3-нанометровый технологический процесс.
Пару лет назад Samsung представила узлы 3GAE (3-нм Gate-All-Around Early) и 3GAP (3-нм Gate-All-Around Plus), обещая значительное снижение энергопотребления и повышение общей производительности.