Samsung готовит SSD с 176-слойной флэш-памятью V-NAND и интерфейсами PCIe 4.0 и 5.0
itc.uaКомпания Samsung в 2013 году первой приступила к выпуску памяти 3D NAND под названием V-NAND, опередив своих конкурентов. Компания начала с 24-слойных чипов и постепенно наращивала количество слоёв.
Сейчас Samsung подготовила к выпуску 176-слойные чипы V-NAND, а в перспективе говорит о возможности появления многослойных чипов с более чем 1000 слоёв.