IBM и Samsung анонсировали VTFET — перспективную технологию компоновки чипов с вертикальными транзисторами
itc.uaВо время проведения конференции IEDM компании IBM и Samsung заявили, что они совершили прорыв в сфере разработки полупроводников.
Они представили новую конструкцию вертикального размещения транзисторов на кристалле. В современных процессорах и системах-на-чипе транзисторы расположены горизонтально на поверхности кремния, а электрический ток течёт из стороны в сторону.