ГК «Элемент» инвестирует 4,4 млрд рублей в полное производство GaN-транзисторов в России
habr.comГруппа компаний (ГК) «Элемент» вложит 4,4 млрд рублей в производство силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN). Производство откроется на базе НИИ электронной техники (НИИЭТ) в Воронеже.
Представитель компании сообщил, что проект дополнит текущие мощности НИИЭТ по сборке СВЧ и силовых GaN-транзисторов. Будет создано первое в России полное производство таких транзисторов, включая кристальное направление.Нитрид галлия — это современный полупроводниковый материал.
