Гибкие элементы памяти сделают из композитов
Мемристор — микроэлектронный компонент, меняющий своё сопротивление в зависимости от проходящего через него электрического заряда.
При подаче высокого напряжения мемристор переходит в проводящее (открытое) состояние, а при смене полярности напряжения и приложении напряжения сброса структура прекращает проводить электрический ток — становится закрытой.