память

DRAM и NAND в одном чипе — исследователи создали память с изменением фазы, которая не потребляет много энергии

Исследователи Корейского передового института науки и технологий (KAIST) в Южной Корее разработали новый тип памяти со сменой фазы, который не имеет недостатков предыдущих итераций этой технологии.

Память со сменой фазы, или сокращенно PCM, работает путем перехода между двумя физическими состояниями: кристаллизованным (с низким сопротивлением) и аморфным (с высоким сопротивлением).

DMCA