18 ГБ ОЗУ в смартфоне — теперь реальность. SK Hynix начала выпуск соответствующих модулей оперативной памяти LPDDR5 DRAM
itc.uaЮжнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix на днях объявил о начале массового производства модулей оперативной памяти LPDDR5 объемом 18 ГБ для следующего поколения геймерских смартфонов.
Это новый абсолютный рекорд для индустрии Пропускная способность новой памяти составляет 6400 Мбит/с в расчете на одну линию — примерно на 20% выше по сравнению с нынешними моделями (5500 Мбит/с).