SK hynix начала производство 238-слойной памяти 3D NAND – шина 2400 МТ/с позволит полностью загрузить PCIe 5.0 x4
itc.uaSK hynix начала массовое производство 238-слойных модулей памяти 3D NAND. Новые чипы обеспечивают скорость передачи данных 2400 МТ/с и могут использоваться для производства следующего поколения твердотельных накопителей с интерфейсом PCIe 5.0 x4 со скоростью последовательного чтения/записи 12 ГБ/с и выше.
Ключевым преимуществом 238 слоев TLC NAND IC от SK hynix является скорость интерфейса 2400 МТ/с. Это на 50% больше по сравнению с актуальным поколением.
"Холостячка" Мишина оконфузилась, показав развлечения под российскую песню: "Какой умный человек..."