Сделан материал для энергонезависимой памяти
Все новости на карте Учёные из Института физики полупроводников имени Ржанова С. О. РАН, Новосибирского государственного университета, Новосибирского государственного технического университета и Национального университета Чао Тунг (Тайвань) разработали и сравнили мемристоры на основе нитрида кремния, синтезированные с помощью двух разных технологий.
Более высокопроизводительное устройство удалось получить, используя технологию физического осаждения из газовой фазы. Существенное преимущество