Нанотехнологическая магия. Создан мемристор атомарной толщины для сверхплотной памяти
liga.net2) – около 1 кв. нанометра. О технологическом прорыве пишут в журнале Nature Nanotechnology ученые из Техасского университета в Остине.Читайте нас в Telegram: проверенные факты, только важноеЭто мемристор – пассивный элемент, способный изменять свое сопротивление в зависимости от протекшего через него заряда, из-за чего его можно использовать как ячейку памяти ReRAM.
Это целый класс энергонезависимой памяти: в основе ее работы лежит эффект управления сопротивлением ячейки.Смысл в том, что дефект или пустое место в кристаллической (атомарной) структуре вещества замещать атомом металла, что поменяет его проводимость (сопротивление).