Инженера Samsung приговорили к семи годам тюрьмы за передачу технологии производства DRAM китайской компании CXMT
habr.comЮжнокорейский суд приговорил бывшего инженера Samsung к семи годам тюремного заключения по делу об утечке технологии производства 10-нанометровой памяти DRAM.
Сотрудник передал производственные данные китайской корпорации ChangXin Memory Technologies.По версии следствия, 56-летний инженер по фамилии Чон передал представителям CXMT более 600 подробных этапов производства DRAM.
