IBM и Samsung преодолели физический барьер в 1 нм в создании микропроцессоров
IBM и Samsung Electronics объявили о прорыве в проектировании полупроводниковых микросхем. Партнерам удалось создать «вертикально расположенные транзисторы» — конструкцию чипов, в которой часть компонентов устанавливается перпендикулярно друг к другу.
Уже на первом этапе разработки такая система оказалась способна удвоить производительность микросхем или снизить их энергопотребление на 85%.