В Samsung открыли материал для создания новейших карт памяти
live24.ruРеспублика Корея, 07 июл 2020. . В Samsung открыли новый материал, который будут применять в создании новейшей памяти. Его назвали аморфный нитрид бора.Сотрудники Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) совместно с коллегами из Кембриджского университета помогли исследователям из Samsung в открытие нового материала.Аморфный нитрид бора сильно приблизит создание полупроводниковых материалов нового поколения.
Материал станут применять в создании новейших NAND, то есть флеш-памяти, и при производстве DRAM — оперативной памяти.Одним из главных достоинств аморфного нитрида бора ученые назвали возможность его использования как изолирующего материала, сводящего электрические помехи к минимуму.Ранее LIVE24 сообщало, что